Физ.эквивалентная схема с об для области высоких частот

Свойство колебательного контура в значительной степени изменять коэффициент передачи на частотах, близких к резонансной, широко используется на практике, когда требуется выделить сигнал с конкретной частотой из множества ненужных сигналов, расположенных на других частотах. Иначе говоря, Земля работает по сути как источник ЭДС, выравнивающий (впрочем, весьма медленно) разность потенциалов на некоем среднем уровне. Даже если для единиц из них это действительно так, отделить их от мошенников и поставить статистически достоверный эксперимент не представляется возможным. Конструкции и технические характеристики этих диодов непрерывно совершенствуются в связи с потребностями освоения новых частотных диапазонов, а также с применением методов конструирования радиоэлектронной аппаратуры на основе СВЧ гибридных интегральных схем. Частоту увеличивают до тех пор, пока она не достигнет некого предела, выше которого резонанс невозможен.

Известны три конструктивно-технологические разновидности детекторных и смесительных диодов: точечно-контактный (ТКД), с барьером Шоттки (ДБШ) и с p–n -переходом. Evolution of electrical and electro-dynamic properties of YBa2Cu3O7-x bicrystal Josephson junctions with oxygen loading // IEEE Trans. on Applied Superconductivity, 2011, V. 21, N. 3, P. 147-150. Параллельный колебательный контур В различных радиотехнических устройствах наряду с последовательными колебательными контурами часто (даже чаще, чем последовательные) применяют параллельные колебательные контуры На рисунке приведена принципиальная схема параллельного колебательного контура.
Компьютерная обработка этой информации формирует объёмное изображение, которое характеризует плотность химически эквивалентных ядер, времена релаксации ядерного магнитного резонанса, распределение скоростей потока жидкости, диффузию молекул и биохимические процессы обмена веществ в живых тканях. Для катушки индуктивности, эта зависимость будет иметь вид: Из формулы видно, что при увеличении частоты, реактивное сопротивление катушки индуктивности увеличивается. Хэисом, а затем усовершенствован М. Голеем в 40-х гг. XX века[13]. Изначально эти устройства создавались для регистрации ИК (теплового) излучения. Что отлично видно на видео (соответствующего моделировании в HFSS). На видео, и на рисунке выше – источник расположен в левой верхней области, область расположения приёмника выделена в правой около-центральной части.

Похожие записи: